Número de Producto del Fabricante:
FQD4P25TM-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQD4P25TM-WS-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12839414
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ENVIAR
FQD4P25TM-WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FQD4P25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FQD4P25TM_WS-DG
FQD4P25TM_WSDKR-DG
FQD4P25TM-WSDKR
FQD4P25TM-WSTR
FQD4P25TM_WS
FQD4P25TM-WSCT
FQD4P25TM_WSDKR
FQD4P25TM_WSTR
FQD4P25TM_WSCT-DG
FQD4P25TM_WSCT
FQD4P25TM_WSTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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