Número de Producto del Fabricante:
FQD5N60CTM-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQD5N60CTM-WS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12839172
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ENVIAR
FQD5N60CTM-WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FQD5N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FQD5N60CTM-WSDKR
FQD5N60CTM_WS
FQD5N60CTM_WSCT-DG
FQD5N60CTM-WSTR
FQD5N60CTM_WSDKR
FQD5N60CTM_WSDKR-DG
FQD5N60CTM_WSCT
FQD5N60CTM_WSTR-DG
FQD5N60CTM_WSTR
FQD5N60CTM-WSCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQD5N60CTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FQD5N60CTM-DG
PRECIO UNITARIO
0.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
FDD5N60NZTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
45384
NÚMERO DE PIEZA
FDD5N60NZTM-DG
PRECIO UNITARIO
0.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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