Número de Producto del Fabricante:
FQN1N60CTA
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQN1N60CTA-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventario:
17584 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846864
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ENVIAR
FQN1N60CTA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Box (TB)
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
300mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta), 3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número de producto base
FQN1N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
FQN1N60CTA-DG
FQN1N60CTATB
FQN1N60CTACT
FQN1N60CTADKR-DG
FQN1N60CTADKR
FQN1N60CTADKRINACTIVE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQN1N50CTA
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
3302
NÚMERO DE PIEZA
FQN1N50CTA-DG
PRECIO UNITARIO
0.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STQ1NK60ZR-AP
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
7349
NÚMERO DE PIEZA
STQ1NK60ZR-AP-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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