Número de Producto del Fabricante:
FQU2N90TU-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQU2N90TU-WS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12848682
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ENVIAR
FQU2N90TU-WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
FQU2N90
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Otros nombres
FQU2N90TU_WS
FQU2N90TU_WS-DG
1990-FQU2N90TU-WS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQD2N90TM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
11464
NÚMERO DE PIEZA
FQD2N90TM-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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