HUF76407D3ST
Número de Producto del Fabricante:

HUF76407D3ST

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

HUF76407D3ST-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

3893 Pcs Nuevos Originales En Stock
13209926
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

HUF76407D3ST Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFET
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
92mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
HUF76

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
488-HUF76407D3STDKR
488-HUF76407D3STCT
488-HUF76407D3STTR
2832-HUF76407D3ST-488

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

NTMFS4923NET1G

MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL

onsemi

NVTFS5811NLTAG

MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

onsemi

FCP165N60E

MOSFET N-CH 600V 23A TO220

onsemi

NVB5404NT4G

MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK