Número de Producto del Fabricante:
IRF630BTSTU_FP001
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
IRF630BTSTU_FP001-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12836731
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ENVIAR
IRF630BTSTU_FP001 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRF63
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF630
FABRICANTE
Harris Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
11535
NÚMERO DE PIEZA
IRF630-DG
PRECIO UNITARIO
0.80
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRF630NPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
8085
NÚMERO DE PIEZA
IRF630NPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.39
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRF630PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5461
NÚMERO DE PIEZA
IRF630PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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