IRF634B-FP001
Número de Producto del Fabricante:

IRF634B-FP001

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

IRF634B-FP001-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 8.1A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

12846892
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRF634B-FP001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 4.05A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRF634

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
IRF634B_FP001
2156-IRF634B-FP001-488
2832-IRF634B-FP001-488
IRF634B_FP001-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IRF634PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
6636
NÚMERO DE PIEZA
IRF634PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FDD8444L

MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA

onsemi

FDD4141-F085

MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK

onsemi

FDD9510L-F085

MOSFET P-CH 40V 50A DPAK

onsemi

FCMT250N65S3

MOSFET N-CH 650V 12A POWER88