Número de Producto del Fabricante:
MJD31C1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
MJD31C1G-DG
Descripción:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK
Inventario:
12854350
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ENVIAR
MJD31C1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
3 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Corriente - Corte del colector (máx.)
50µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
10 @ 3A, 4V
Potencia - Máx.
1.56 W
Frecuencia - Transición
3MHz
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Número de producto base
MJD31
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
MJD31C1G-DG
MJD31C1GOS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
MJD31CT4G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2090
NÚMERO DE PIEZA
MJD31CT4G-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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