Número de Producto del Fabricante:
MVB50P03HDLT4G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
MVB50P03HDLT4G-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12840366
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ENVIAR
MVB50P03HDLT4G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
100 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
MVB50
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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