Número de Producto del Fabricante:
NTBG015N065SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTBG015N065SC1-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 145A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
1459 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964257
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ENVIAR
NTBG015N065SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
145A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 75A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 25mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4689 pF @ 325 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NTBG015N065SC1DKR
488-NTBG015N065SC1TR
488-NTBG015N065SC1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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