Número de Producto del Fabricante:
NTBGS002N06C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTBGS002N06C-DG
Descripción:
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 211A (Tc) 3.7W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12950503
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ENVIAR
NTBGS002N06C Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Ta), 211A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 45A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 225µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4620 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NTBGS002N06CDKR
488-NTBGS002N06CTR
488-NTBGS002N06CCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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