Número de Producto del Fabricante:
NTC020N120SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTC020N120SC1-DG
Descripción:
SIC MOS WAFER SALES 20MOHM 1200V
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 103A (Tc) 535W (Tc) Surface Mount Die
Inventario:
12969717
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ENVIAR
NTC020N120SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
103A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
28mOhm @ 60A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 20mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
203 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2890 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
535W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
488-NTC020N120SC1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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