Número de Producto del Fabricante:
NTD3817N-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTD3817N-1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12842429
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ENVIAR
NTD3817N-1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
16 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
702 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NTD38
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
ONSONSNTD3817N-1G
2156-NTD3817N-1G-ON
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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