Número de Producto del Fabricante:
NTD4809N-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTD4809N-1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12858581
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ENVIAR
NTD4809N-1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 11.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.4W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NTD48
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
ONSONSNTD4809N-1G
2156-NTD4809N-1G-ON
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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