Número de Producto del Fabricante:
NTD4959NH-35G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTD4959NH-35G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12927491
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ENVIAR
NTD4959NH-35G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 11.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 11.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2155 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
NTD49
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMNH3010LK3-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMNH3010LK3-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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