NTGD3147FT1G
Número de Producto del Fabricante:

NTGD3147FT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTGD3147FT1G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

12858136
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NTGD3147FT1G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
145mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
NTGD31

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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