Número de Producto del Fabricante:
NTH4L080N120SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTH4L080N120SC1-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
430 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938839
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ENVIAR
NTH4L080N120SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
NTH4L080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NTH4L080N120SC1
2156-NTH4L080N120SC1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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