Número de Producto del Fabricante:
NTHS5402T1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTHS5402T1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventario:
12857138
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ENVIAR
NTHS5402T1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
NTHS54
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-NTHS5402T1
ONSONSNTHS5402T1
NTHS5402T1OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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