Número de Producto del Fabricante:
NTLUS3C18PZTBG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTLUS3C18PZTBG-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 4.4A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Inventario:
12845087
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ENVIAR
NTLUS3C18PZTBG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1570 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
660mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-UDFN (1.6x1.6)
Paquete / Caja
6-PowerUFDFN
Número de producto base
NTLUS3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2832-NTLUS3C18PZTBGTR
2156-NTLUS3C18PZTBG-OS
ONSONSNTLUS3C18PZTBG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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