Número de Producto del Fabricante:
NTMJS0D9N03CGTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMJS0D9N03CGTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V LFPAK8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 50A (Ta), 315A (Tc) 3.9W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventario:
12972780
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NTMJS0D9N03CGTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Ta), 315A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
131.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9550 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-LFPAK
Paquete / Caja
SOT-1205, 8-LFPAK56
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NTMJS0D9N03CGTWGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PJQ5476AL_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJW7N06A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IRF640PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
