Número de Producto del Fabricante:
NTMS3P03R2
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMS3P03R2-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12856435
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ENVIAR
NTMS3P03R2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
750 pF @ 24 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
730mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
NTMS3P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
ONSONSNTMS3P03R2
2156-NTMS3P03R2-ONTR
NTMS3P03R2OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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