NTMSD3P102R2G

Número de Producto del Fabricante:

NTMSD3P102R2G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTMSD3P102R2G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC

Descripción Detallada:

P-Channel 20 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

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12857397

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NTMSD3P102R2G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

FETKY™

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2.34A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

750 pF @ 16 V

Función FET

Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (máx.)

730mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOIC

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de producto base

NTMSD3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

NTMSD3P102R2G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

NTMSD3P102R2GOS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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