Número de Producto del Fabricante:
NTMYS2D2N06CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 185A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventario:
12857226
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ENVIAR
NTMYS2D2N06CLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta), 185A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 180µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4850 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base
NTMYS2
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2832-NTMYS2D2N06CLTWGTR
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
488-NTMYS2D2N06CLTWGTR
488-NTMYS2D2N06CLTWGDKR
488-NTMYS2D2N06CLTWGCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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