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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
NTPF360N65S3H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTPF360N65S3H-DG
Descripción:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10A (Tj) 26W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12964868
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ENVIAR
NTPF360N65S3H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
916 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
NTPF360N65S3H
Hoja de datos HTML
NTPF360N65S3H-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
488-NTPF360N65S3HDKR-DG
488-NTPF360N65S3HTR
488-NTPF360N65S3H
488-NTPF360N65S3HDKR
488-NTPF360N65S3HCT
488-NTPF360N65S3HCT-DG
488-NTPF360N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF360N65S3HTR-DG
488-NTPF360N65S3HDKRINACTIVE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SIHA11N80E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1334
NÚMERO DE PIEZA
SIHA11N80E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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