NVATS68301PZT4G
Número de Producto del Fabricante:

NVATS68301PZT4G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVATS68301PZT4G-DG

Descripción:

MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 31A (Ta) 84W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventario:

12841075
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

NVATS68301PZT4G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2850 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
84W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
NVATS68301

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXTY26P10T
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTY26P10T-DG
PRECIO UNITARIO
1.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

NVF3055L108T3G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

onsemi

NVMFS5C612NLAFT3G

MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN

onsemi

FQPF9N50

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F

onsemi

NVTFS4824NWFTWG

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN