Número de Producto del Fabricante:
NVB190N65S3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVB190N65S3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12848144
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ENVIAR
NVB190N65S3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 430µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1605 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
162W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
NVB190
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NVB190N65S3F
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
752
NÚMERO DE PIEZA
NVB190N65S3F-DG
PRECIO UNITARIO
1.75
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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