Número de Producto del Fabricante:
NVBG040N120M3S
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVBG040N120M3S-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
800 Pcs Nuevos Originales En Stock
13256175
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ENVIAR
NVBG040N120M3S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
57A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
54mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.4V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
263W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NVBG040N120M3STR
488-NVBG040N120M3SDKR
488-NVBG040N120M3SCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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