Número de Producto del Fabricante:
NVBG095N065SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVBG095N065SC1-DG
Descripción:
SIC MOS D2PAK-7L 650V
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
13002631
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ENVIAR
NVBG095N065SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 12A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
956 pF @ 325 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
NVBG095
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NVBG095N065SC1CT
488-NVBG095N065SC1TR
488-NVBG095N065SC1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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