Número de Producto del Fabricante:
NVD5C648NLT4G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVD5C648NLT4G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 3.1W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12857586
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ENVIAR
NVD5C648NLT4G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta), 89A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
NVD5C648
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
NVD5C648NLT4G-DG
488-NVD5C648NLT4GCT
488-NVD5C648NLT4GTR
488-NVD5C648NLT4GDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD90N06S4L05ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2415
NÚMERO DE PIEZA
IPD90N06S4L05ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
0.62
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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