NVF6P02T3G

Número de Producto del Fabricante:

NVF6P02T3G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVF6P02T3G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

Descripción Detallada:

P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Inventario:

4039 Pcs Nuevos Originales En Stock

12843377

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NVF6P02T3G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Not For New Designs

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

10A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

2.5V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

50mOhm @ 6A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

1V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

20 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1200 pF @ 16 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

8.3W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grado

Automotive

Calificación

AEC-Q101

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-223 (TO-261)

Paquete / Caja

TO-261-4, TO-261AA

Número de producto base

NVF6P02

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

4,000

Otros nombres

NVF6P02T3GOSDKR

NVF6P02T3GOSCT

NVF6P02T3GOSTR

NVF6P02T3G-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

NTF6P02T3G

FABRICANTE

onsemi

CANTIDAD DISPONIBLE

45559

NÚMERO DE PIEZA

NTF6P02T3G-DG

PRECIO UNITARIO

0.47

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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