Número de Producto del Fabricante:
NVH4L020N090SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVH4L020N090SC1-DG
Descripción:
SIC MOSFET 900V TO247-4L
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 116A (Tc) 484W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
881 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997419
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ENVIAR
NVH4L020N090SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
116A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
28mOhm @ 60A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 20mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
196 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4415 pF @ 450 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
484W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
488-NVH4L020N090SC1TR-DG
488-NVH4L020N090SC1TR
488-NVH4L020N090SC1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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