Número de Producto del Fabricante:
NVH4L075N065SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVH4L075N065SC1-DG
Descripción:
SIC MOS TO247-4L 650V
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 148W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
450 Pcs Nuevos Originales En Stock
12979334
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NVH4L075N065SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 15A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1196 pF @ 325 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
148W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
488-NVH4L075N065SC1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMN10H220LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
NVTFWS070N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
DMT35M4LFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
