Número de Producto del Fabricante:
NVMFS4C308NWFT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMFS4C308NWFT1G-DG
Descripción:
TRENCH 30V NCH
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta), 55A (Tc) 3W (Ta), 30.6W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventario:
12979275
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ENVIAR
NVMFS4C308NWFT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17.2A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 30.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFS4C308NWFT1GCT
488-NVMFS4C308NWFT1GDKR
488-NVMFS4C308NWFT1GTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
