NVMFS6H864NT1G

Número de Producto del Fabricante:

NVMFS6H864NT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVMFS6H864NT1G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN

Descripción Detallada:

N-Channel 80 V 6.7A (Ta), 21A (Tc) 3.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventario:

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12856356

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NVMFS6H864NT1G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

80 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

6.7A (Ta), 21A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

32mOhm @ 5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 20µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

6.9 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

370 pF @ 40 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3.5W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grado

Automotive

Calificación

AEC-Q101

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquete / Caja

8-PowerTDFN, 5 Leads

Número de producto base

NVMFS6

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

NVMFS6H864NT1G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

1,500

Otros nombres

NVMFS6H864NT1GOSCT

NVMFS6H864NT1GOSTR

2832-NVMFS6H864NT1G-488

2832-NVMFS6H864NT1GTR

NVMFS6H864NT1GOSDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

RS6N120BHTB1

FABRICANTE

Rohm Semiconductor

CANTIDAD DISPONIBLE

1763

NÚMERO DE PIEZA

RS6N120BHTB1-DG

PRECIO UNITARIO

1.14

TIPO DE SUSTITUCIÓN

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Certificación DIGI

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