Número de Producto del Fabricante:
NVMFSW6D1N08HT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMFSW6D1N08HT1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 3.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventario:
12842159
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NVMFSW6D1N08HT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Ta), 89A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 120µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2085 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Número de producto base
NVMFSW6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFSW6D1N08HT1GCT
2832-NVMFSW6D1N08HT1GTR
488-NVMFSW6D1N08HT1GTR
488-NVMFSW6D1N08HT1GDKR
2832-NVMFSW6D1N08HT1G-488
NVMFSW6D1N08HT1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVD5414NT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NVMFS6B25NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
NTD14N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
