Número de Producto del Fabricante:
NVMJST2D6N08HTXG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMJST2D6N08HTXG-DG
Descripción:
TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 131.5A (Tc) 5.3W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 10-TCPAK
Inventario:
10 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002826
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ENVIAR
NVMJST2D6N08HTXG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Ta), 131.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4405 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.3W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
10-TCPAK
Paquete / Caja
10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NVMJST2D6N08HTXGCT
488-NVMJST2D6N08HTXGTR
488-NVMJST2D6N08HTXGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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