Número de Producto del Fabricante:
NVMYS021N06CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMYS021N06CLTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12845283
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ENVIAR
NVMYS021N06CLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 16µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
410 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base
NVMYS021
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NVMYS021N06CLTWGOSDKR
NVMYS021N06CLTWGOS
2832-NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWGOSTR
NVMYS021N06CLTWGOSCT
NVMYS021N06CLTWGOS-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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