Número de Producto del Fabricante:
NVMYS4D1N06CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMYS4D1N06CLTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12844581
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NVMYS4D1N06CLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base
NVMYS4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NVMYS4D1N06CLTWGDKR
488-NVMYS4D1N06CLTWGCT
NVMYS4D1N06CLTWG-DG
488-NVMYS4D1N06CLTWGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NTMYS3D5N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
NTMTS001N06CLTXG
MOSFET N-CH 60V 398.2A
AUIRLR3636TRL
MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
