Número de Producto del Fabricante:
NVMYS9D3N06CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMYS9D3N06CLTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventario:
13001063
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ENVIAR
NVMYS9D3N06CLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 35µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base
NVMYS9D3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
488-NVMYS9D3N06CLTWGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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