RFG60P05E
Número de Producto del Fabricante:

RFG60P05E

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

RFG60P05E-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
Descripción Detallada:
P-Channel 50 V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

12857190
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

RFG60P05E Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
450 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
215W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
RFG60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXTH76P10T
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
3540
NÚMERO DE PIEZA
IXTH76P10T-DG
PRECIO UNITARIO
3.86
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

NTH027N65S3F-F155

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

onsemi

NVMFS5C450NWFT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

NVATS5A108PLZT4G

MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK

renesas-electronics-america

RJK5034DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220