PJD1NA60_L2_00001
Número de Producto del Fabricante:

PJD1NA60_L2_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

Número de pieza:

PJD1NA60_L2_00001-DG

Descripción:

600 V N-CHANNEL MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12971964
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PJD1NA60_L2_00001 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
95 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
PJD1NA60

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
3757-PJD1NA60_L2_00001CT
3757-PJD1NA60_L2_00001TR
3757-PJD1NA60_L2_00001DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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