Número de Producto del Fabricante:
PSMP050N10NS2_T0_00601
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
Número de pieza:
PSMP050N10NS2_T0_00601-DG
Descripción:
100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 138W (Tc) Through Hole TO-220AB-L
Inventario:
1890 Pcs Nuevos Originales En Stock
12989046
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ENVIAR
PSMP050N10NS2_T0_00601 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3910 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
138W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB-L
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
PSMP050N10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
3757-PSMP050N10NS2_T0_00601
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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