QJD1210011
Número de Producto del Fabricante:

QJD1210011

Product Overview

Fabricante:

Powerex Inc.

Número de pieza:

QJD1210011-DG

Descripción:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module

Inventario:

12840375
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QJD1210011 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Powerex
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
500nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10200pF @ 800V
Potencia - Máx.
900W
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
Module
Número de producto base
QJD1210

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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