Número de Producto del Fabricante:
2SA812B-T1B-AT
Product Overview
Fabricante:
Renesas
Número de pieza:
2SA812B-T1B-AT-DG
Descripción:
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 180MHz 200 mW Surface Mount 3-MINIMOLD
Inventario:
201000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976870
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ENVIAR
2SA812B-T1B-AT Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
90 @ 1mA, 6V
Potencia - Máx.
200 mW
Frecuencia - Transición
180MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos del proveedor
3-MINIMOLD
Información Adicional
Paquete Estándar
4,121
Otros nombres
2156-2SA812B-T1B-AT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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