Número de Producto del Fabricante:
2SK1339-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SK1339-E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12857795
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
2SK1339-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
425 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
2SK1339
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP3NK90Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
361
NÚMERO DE PIEZA
STP3NK90Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
NDS9430
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
NVMFS6B85NLT3G
MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN
NDS352P
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
