Número de Producto del Fabricante:
2SK3447TZ-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas
Número de pieza:
2SK3447TZ-E-DG
Descripción:
2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 1A (Ta) 900mW (Ta) Through Hole TO-92MOD
Inventario:
10000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976885
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ENVIAR
2SK3447TZ-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.95Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
85 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92MOD
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Información Adicional
Paquete Estándar
728
Otros nombres
2156-2SK3447TZ-E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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