Número de Producto del Fabricante:
2SK3483-AZ
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SK3483-AZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 28A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 28A (Ta) 1W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-251
Inventario:
12858276
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ENVIAR
2SK3483-AZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2300 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFU3410PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3321
NÚMERO DE PIEZA
IRFU3410PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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