Número de Producto del Fabricante:

HAT1069C-EL-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

HAT1069C-EL-E-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK

Descripción Detallada:

P-Channel 12 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 6-CMFPAK

Inventario:

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12853828

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HAT1069C-EL-E Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Renesas Electronics Corporation

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

12 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.8V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

52mOhm @ 1.5A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

1.2V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

16 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1380 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

900mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

150°C

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

6-CMFPAK

Paquete / Caja

6-SMD, Flat Leads

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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