Número de Producto del Fabricante:
HS54095TZ-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
HS54095TZ-E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 200mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventario:
12860299
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ENVIAR
HS54095TZ-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
66 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STQ1NK60ZR-AP
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
7349
NÚMERO DE PIEZA
STQ1NK60ZR-AP-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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