Número de Producto del Fabricante:
NP100N04PUK-E1-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
NP100N04PUK-E1-AY-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
1600 Pcs Nuevos Originales En Stock
12861398
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ENVIAR
NP100N04PUK-E1-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7050 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Número de producto base
NP100N04
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Dibujos de productos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
-1161-NP100N04PUK-E1-AY
NP100N04PUK-E1-AY-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYCT
559-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AY-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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